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NP80N03EDE, NP80N03KDE, NP80N03CDE, NP80N03DDE, NP80N03MDE, NP80N03NDE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 ° C)
Drain to Source Voltage (V GS = 0 V)
Gate to Source Voltage (V DS = 0 V)
V DSS
V GSS
30
± 20
V
V
Drain Current (DC) (T C = 25 ° C)
Note1
I D(DC)
± 80
A
Drain Current (pulse)
Note2
I D(pulse)
± 320
A
Total Power Dissipation (T C = 25 ° C)
Total Power Dissipation (T A = 25 ° C)
Channel Temperature
Storage Temperature
P T1
P T2
T ch
T stg
120
1.8
175
? 55 to + 175
W
W
° C
° C
Single Avalanche Current
Single Avalanche Energy
Note3
Note3
I AS
E AS
50/40/9
2.5/160/400
A
mJ
Notes 1. Calculated constant current according to MAX. allowable channel temperature.
2. PW ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
3. Starting T ch = 25 ° C, R G = 25 Ω , V GS = 20 → 0 V (See Figure 4. )
THERMAL RESISTANCE
Channel to Case Thermal Resistance
Channel to Ambient Thermal Resistance
R th(ch-C)
R th(ch-A)
1.25
83.3
° C/W
° C/W
2
Data Sheet D15310EJ3V0DS
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